簡單來說，集成電路產業鏈主要分為設計、制造、封測以及上游的材料和設備。因其特殊的產業鏈，集成電路具有：制造工序多、產品種類多、技術換代快的特點。

IC設計可分成幾個步驟，依序為：架構設計→電路設計→物理設計→最終流片→產品確認。

IC制造的流程較為復雜，過程包括：薄膜→光刻→顯影→蝕刻→光阻去除。薄膜制備：在晶圓片表面上生長數層材質不同，厚度不同的薄膜；光刻：將掩膜板上的圖形復制到硅片上。光刻的成本約為整個硅片制造工藝的1/3，耗費時間約占整個硅片工藝的40～60%。

封裝的流程大致如下：切割→黏貼→切割焊接→模封。切割：將IC制造公司生產的晶圓切割成長方形的IC;黏貼：把IC黏貼到PCB上；焊接：將IC的接腳焊接到PCB上，使其與PCB相容；模封：將接腳模封起來。

從技術復雜度和應用廣度來看，集成電路主要可以分為高端通用和專用集成電路兩大類。

高端通用集成電路技術復雜度高、標準統一、通用性強，具有量大面廣的特征。它主要包括處理器、存儲器，以及FPGA(現場可編程門陣列)、AD/DA(模數/數模轉換)等。

專用集成電路是針對特定系統需求設計的集成電路。每種專用集成電路都屬于一類細分市場，例如，通信設備需要高頻大容量數據交換芯片等專用芯片；汽車電子需要輔助駕駛系統芯片、視覺傳感和圖像處理芯片，以及未來的無人駕駛芯片等。

根據摩爾定律：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍，從而要求集成電路尺寸不斷變小。

芯片的制程就是用來表征集成電路尺寸的大小的一個參數，隨著摩爾定律發展，制程從0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、90納米、65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米，一直發展到現在的10納米、7納米、5納米。目前，28nm是傳統制程和先進制程的分界點。

除了制程，建設晶圓制造產線還需要事先確定一個參數，即所需用的硅片尺寸。硅片根據其直徑分為6寸（150mm）、8寸（200mm）、12寸（300mm）等類型，目前高端市場12寸為主流，中低端市場則一般采用8寸。

晶圓制造產線的制程和硅片尺寸這兩個參數一旦確定下來一般無法更改，因為如果要改建，則投資規模相當于新建一條產線。除了晶圓制造技術更新換代外，其下游的封測技術也不斷隨之發展。